?Das Forschungsfeld der Spintronik erfordert bei der Untersuchung der elektronischenTransmission, die Berücksichtigung aller möglichen Spinzustände der Ladungsträger.Das Ziel dieser Arbeit ist, die spintronischen Transmissionseigenschaften eines dünnen(7 nm) GaAlAs/GaMnAs/GaAlAs Quantenschachtes zu analysieren.Infolge von resonantem Tunneln und einer Spinaufspaltung im Schacht hängt dieTransmissionswahrscheinlichkeit eines Ladungsträgers sowohl von dessen Energie, alsauch von dessen Spinzustand ab. Die Transmissionseigenschaften der Heterostrukturwerden mittels eines selbstkonsistenten Zugangs über Greensche Funktionen untersucht.Jede Schicht der Struktur wird durch ein Glied einer eindimensionalen, linearen Tight-Binding-Kette dargestellt.Dieselbe Heterostruktur wird sowohl mit nichtmagnetischen Kontakten, als auchmit ferromagnetischen GaMnAs-Kontakten untersucht. Die Aufspaltung der Subbänderin GaMnAs wird selbstkonsistent aus der Differenz von "Spin-up"- und "Spin-down"-Löcherdichten und aus der Ladungsverteilung berechnet.Aufgrund der Spin-Bahn-Kopplung besteht die Möglichkeit, dass Ladungsträgerspinsan den Heteroübergängen zwischen verschiedenen Materialien umklappen. In dieserArbeit werden sowohl die Transmissionswahrscheinlichkeiten entlang aller Spinkanäle,als auch die Spinpolarisation, in Abhängigkeit von der Spinflipwahrscheinlichkeit anden Grenzflächen, untersucht. Dies wird erreicht indem über alle Spinkonfigurationengemittelt wird.Während die Spinpolarisation der Transmissionswahrscheinlichkeiten, wie auch diedes Stromes, empfindlich auf erhöhte Spinflipraten reagieren scheinen Unordnungseffekteeinen noch stärkeren Einfluss darauf zu haben.
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